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用于原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体化合物以及使用其的ALD/CVD工艺

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摘要

本发明涉及适合在通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的薄膜沉积中使用的前体化合物和更特别地涉及不易燃的前体化合物，并且涉及使用其的ALD/CVD工艺。

公开/公告号CN112020504A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-01

原文格式PDF
申请/专利权人韩松化学株式会社;
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申请/专利号CN201880092457.6
发明设计人黄贞云;文基宁;李珠源;廉圭玄;昔壮衒;朴正佑;
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申请日2018-10-25
分类号C07F5/06(20060101);C07F3/06(20060101);C23C16/40(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/18(20060101);C23C16/455(20060101);
代理机构11313 北京市铸成律师事务所;
代理人闫茂娟;郗名悦
地址韩国首尔
入库时间 2023-06-19 09:03:00

1. 用于原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体化合物以及使用其的ALD/CVD工艺 [P] . 中国专利： CN112020504A . 2020-12-01
2. 用于光辅助金属原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体和工艺设计 [P] . 中国专利： CN106164332A . 2016-11-23
3. ALD CVD ALD/CVD PRECURSOR COMPOUND FOR ATOMIC LAYER DEPOSITIONALD CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONCVDAND ALD/CVD DEPOSITION USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR102087858B1 . 2020-03-12

机译：用于原子层沉积的ALD CVD ALD / CVD前体化合物ALD化学气相沉积CVD和使用相同的ALD / CVD沉积
4. ALD CVD ALD/CVD PRECURSOR COMPOUND FOR ATOMIC LAYER DEPOSITIONALD CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONCVDAND ALD/CVD DEPOSITION USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20190121468A . 2019-10-28

机译：用于原子层沉积的ALD CVD ALD / CVD前体化合物ALD化学气相沉积CVD和使用相同的ALD / CVD沉积
5. ALD CVD ALD/CVD PRECURSOR COMPOUND FOR ATOMIC LAYER DEPOSITIONALD CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONCVDAND ALD/CVD DEPOSITION USING THE SAME [P] . KR20210093011A . 2021-07-27

机译：用于原子层沉积化学气相沉积CVDAND / CVD沉积的ALD CVD ALD / CVD前体化合物使用相同