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【2h】

SOI MEMS PROCESS INSENSITIVE TO SACRIFICIAL OXIDE ETCH INDUCED SUBSTRATE ANCHOR PERIMETER VARIATION

机译：SOI MEMS处理对牺牲氧化物蚀刻诱导的基板锚定周长变化不敏感

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作者
G.J. OBrien; D. Monk; K. Najafi;
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年度 2006
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1. New release process for polysilicon surface micromachining using sacrificial polysilicon anchor and photolithography after sacrificial etching [J] . Xiao Zhixiong, Li Ting, Zhang Guobing, Journal of Micromechanics and Microengineering . 1999,第4期

机译：牺牲蚀刻后使用牺牲多晶硅锚和光刻技术进行多晶硅表面微加工的新工艺
2. Anchor Loss Variation in MEMS Wine-Glass Mode Disk Resonators Due to Fluctuating Fabrication Process [J] . Linxi Dong, Jiaping Tao, Jinyan Bao, IEEE sensors journal . 2016,第18期

机译：由于制造工艺的波动，MEMS酒杯模式磁盘谐振器的锚固损耗变化
3. Correction on “Effect of Temperature Variation and Packaging on SOI MEMS Inductor With DRIE Trench on Low-Resistivity Substrate” [J] . Bhattacharya A., Bhattacharyya T.K. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2015,第1期

机译：对“温度变化和封装对低电阻率衬底上具有DRIE沟槽的SOI MEMS电感器的影响”的校正
4. MEMS PROCESS FLOW INSENSITIVE TO TIMED ETCH INDUCED ANCHOR PERIMETER VARIATION ON SOI AND BULK SILICON WAFER SUBSTRATES [C] . G. J. OBrien, D. J. Monk International Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference . 2007

机译：MEMS处理流动对SOI和散装硅晶片基板上的定时蚀刻诱导的锚定周边变化不敏感
5. Introducing porous silicon as a sacrificial material to obtain cavities in substrate of SOI wafers and a getter material for MEMS devices [D] . Mohammad, Wajihuddin 2011

机译：引入多孔硅作为牺牲材料，以在SOI晶片的衬底中获得空腔，以及用于MEMS器件的吸气材料
6. Integration of Electrodeposited Ni-Fe in MEMS with Low-Temperature Deposition and Etch Processes [O] . Giuseppe Schiavone, Jeremy Murray, Richard Perry, 2017

机译：具有低温沉积和蚀刻工艺的MEMS中电沉积Ni-Fe的集成
7. The Role of III-V Substrate Roughness and Deoxidation Induced by Digital Etch in Achieving Low Resistance Metal Contacts [O] . Florent Ravaux, Irfan Saadat, Mustapha Jouiad 2017

机译：数字蚀刻诱导III-V衬底粗糙度和脱氧对实现低电阻金属触点的作用

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