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【2h】

Self-biasing effects induced by RF step-stress in Ka-band LNAs based on InAlN/GaN HEMT technology

机译：基于Inaln / GaN HEMT技术的KA频段LNA中RF步进胁迫诱导的自偏置效应

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J.G. Tartarin; S.D. Nsele; S. Piotrowicz; S. Delage;
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年度 2016
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