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张磊; 蔡道民; 银军; 谭仁超;
海军驻南京地区电子设备军事代表室 江苏南京210039;
中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051;
5G; 高电子迁移率晶体管; 功率放大器; 功率附加效率;
机译:5G基站GAN放大器模块高效技术的开发[三菱电气]
机译:采用GaN MMIC技术的4W Doherty功率放大器,用于15GHz应用
机译:5G相关设备趋势(3)?材料和评估系统版本高功率,高效率和宽带GaN HEMT是多频带兼容高输出基站的最佳宽带RF设备的评价技术开发也是关键
机译:基于GaN HEMT的高功率,高线性度和低噪声混合RF放大器
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:用于相控阵雷达和5G新无线电的GaN HEMT放大器设计
机译:倍频带宽,高paE,线性,J类GaN高功率放大器
机译:晶圆粘合GaN单片集成电路及晶圆粘结GaN单片集成电路的制造方法
机译:线性宽带放大器测量放大器,用于测量技术,具有在混合耦合器之间并联连接的放大器级,其中级基于带隙较大的半导体材料制成的晶体管
机译:高速,高电压,基于GaN的运算放大器
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