基于GaN HEMT的高效率E类功率放大器设计

摘要

本文基于GaN HEMT,开展了2.2GHz高效率E类功率放大器的研究.采用部分谐波匹配的方法对二、三次谐波短路,使负载网络同时具备谐波抑制和阻抗变换的作用.进一步在漏极引入去封装电路,仿真结果表明,设计的E类功放漏极电压电流波形较为理想,在输入功率Pin=26dBm时,功率附加效率PAE>85％,输出功率Pout>40dBm,功率增益G>16.6dB.