Degeneration ; Emitters ; Junction transistors ; Silicon transistors ; Amplification ; Band structure of solids ; Efficiency ; Impurities ; Minority carriers ; P-n junctions ; Phosphorus ; Temperature effects;
机译:发射极面积对GaAs双极晶体管结构中皮秒切换效率,稳定性和可靠性的重要影响
机译:GaInP / GaAs异质结发射极双极晶体管与异质结双极晶体管的比较
机译:发射极-壁厚对InGaP / GaAs异质结双极晶体管的表面复合机理的影响
机译:具有高速处理的多晶硅发射极的超高发射极效率晶体管,用于高速双极溃疡
机译:4-氢碳化硅中的高压注入-发射极双极结型晶体管和Darlington晶体管。
机译:高通/断对比度和增强效率的基于石墨烯的垂直型有机发光晶体管的全表面发射
机译:高效率,低失调电压InGap / Gaas功率异质结构 - 发射极双极晶体管,具有先进的热管理功能