仿真研究背发射极注入效率对NPT-IGBT温度特性的影响

摘要

绝缘栅双极晶体管（简称IGBT）是电力电子领域应用非常广泛的器件。目前国内产业界对IGBT研究很热,1200V NPT-IGBT已有生产,600V NPT-IGBT不久将来也将成为产业化的目标。而IGBT相关的研究主要集中在电学特性,但对功率半导体器件来说,温度特性直接影响器件可靠性,因此对器件温度特性研究非常重要。本文采用ISE TCAD仿真工具,通过仿真研究600V NPT-IGBT在不同背发射极（集电极）注入效率下、不同温度下的静态特性和开关特性,比较低导通压降IGBT和快速IGBT的热稳定性,为器件设计、器件应用时参数选择提供一定参考。