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双极晶体管; 发射极; 电流集边效应; 理论创新;
机译:具有低集电极-发射极偏移电压和高电流增益的宽带隙P-SiC-发射极横向异质结双极晶体管的实现:一种使用数值模拟的新提议
机译:MBE生长的垂直发射极镇流电阻,以减少异质结双极晶体管中的发射极电流拥挤效应
机译:n-p-n多发射极双极晶体管中基极电流和发射极界面氧化物击穿的1 / f噪声特性
机译:发射极通过分子束外延生长的磷化铟异质结双极晶体管。
机译:P掺杂SiC柔性场发射极的极稳定电流发射
机译:对alGaas / Gaas异质结构 - 发射极双极晶体管的电流增益的热效应
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响
机译:电流开关存储元件-具有在各自的集电极处连接到第二双极晶体管对和MOSFET对的发射极耦合的双极晶体管对,其栅极分别耦合到输出电压和参考电压。
机译:用于稳定带隙电流源或用于形成基极的电压之间的电压差的构造双极晶体管-不同电流密度下的发射极
机译:用于保护电控电路的绝缘栅双极晶体管免受短路和过电流影响的保护装置,其接线单元的电流输出连接在晶体管的发射极和集电极之间
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