公开/公告号CN1171292C
专利类型发明授权
公开/公告日2004-10-13
原文格式PDF
申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;
申请/专利号CN00816239.5
申请日2000-11-22
分类号H01L21/331;H01L29/73;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人吴立明
地址 德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 08:56:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/331 授权公告日:20041013 申请日:20001122
专利权的终止
2009-01-21
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-10-13
授权
授权
2003-05-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-02-26
公开
公开
机译: 具有大带隙发射极材料的双极晶体管-使用单晶硅作为发射极和集电极,并由硅锗cpd形成基极区。
机译: 使用通过覆盖层的原子层掺杂形成的蚀刻停止层,对有源发射极区,特别是高速双极晶体管的有源发射极区中的硅层进行化学湿化
机译: 制造双极晶体管的方法,其中发射极区由双层多晶硅提供的杂质形成