机译:多晶硅发射极SiGe基双极晶体管-当Ge进入发射极时会发生什么?
IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, NY, USA;
Ge-Si alloys; semiconductor materials; semiconductor device models; heterojunction bipolar transistors; silicon; elemental semiconductors; germanium; impurity distribution; doping profiles; current density; polysilicon-emitter SiGe-base bipolar trans;
机译:基于SiGe的高低多晶硅发射极双极晶体管
机译:外延发射极盖SiGe基双极技术,针对液氮温度操作进行了优化
机译:具有磷掺杂多晶硅发射极的73 GHz自对准SiGe基双极晶体管
机译:SOI上的全耗尽集电极多晶硅发射极基于SiGe的垂直双极晶体管
机译:4-氢碳化硅中的高压注入-发射极双极结型晶体管和Darlington晶体管。
机译:具有双极性电荷传输部分的蓝色发光聚苯撑树枝状聚合物
机译:基于界面处理过程的变化,对多晶硅 - 发射极双极晶体管中聚/单晶硅界面的运输机理研究
机译:用于混合距离 - 强度传感器的广域双极级联谐振腔发光二极管;博士论文