microwave bipolar transistors; Ge-Si alloys; semiconductor materials; semiconductor device measurement; semiconductor device models; silicon; elemental semiconductors; fully-depleted-collector polysilicon-emitter SiGe-base vertical bipolar transistor;
机译:多晶硅发射极SiGe基双极晶体管-当Ge进入发射极时会发生什么?
机译:基于SiGe的高低多晶硅发射极双极晶体管
机译:在SOI基板上制造具有沟槽隔离的60 GHz f / sub T /超自对准选择性生长SiGe基(SSSB)双极晶体管及其在20 Gb / s光发射器IC中的应用
机译:全耗尽集电器多晶硅 - 发射器SiGe基础垂直双极晶体管
机译:在标准CMOS技术中实现垂直双极晶体管,用于设计低成本BICMOS集成电路
机译:具有埋入金属层的垂直双极电荷等离子体晶体管
机译:基于界面处理过程的变化,对多晶硅 - 发射极双极晶体管中聚/单晶硅界面的运输机理研究