机译:在SOI基板上制造具有沟槽隔离的60 GHz f / sub T /超自对准选择性生长SiGe基(SSSB)双极晶体管及其在20 Gb / s光发射器IC中的应用
机译:通过冷壁型UHV / CVD技术制造的超自对准选择性生长SiGe基极(SSSB)双极晶体管
机译:在一个芯片中使用超级自对准选择性生长SiGe基极(SSSB)双极晶体管的一个2.4 Gb / s接收器和1:16解复用器
机译:具有高性能,超自对准,选择性生长的SiGe基极(SSSB)双极晶体管的20ps以下ECL电路
机译:SOI基材制造的沟槽隔离双极晶体管的热行为分析
机译:选择性掩膜的MBE再生长,交叉接触的超晶格光学调制器和三端弹道电子晶体管。
机译:浮栅基于有机场效应晶体管的传感器在柔性基板上大面积制造的生物医学应用
机译:使用氮氧化物电介质最大化自对准双多晶硅siGe双极晶体管中选择性外延基层的生长速率
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造