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机译:在一个芯片中使用超级自对准选择性生长SiGe基极(SSSB)双极晶体管的一个2.4 Gb / s接收器和1:16解复用器
机译:在SOI基板上制造具有沟槽隔离的60 GHz f / sub T /超自对准选择性生长SiGe基(SSSB)双极晶体管及其在20 Gb / s光发射器IC中的应用
机译:具有高性能,超自对准,选择性生长的SiGe基极(SSSB)双极晶体管的20ps以下ECL电路
机译:通过冷壁型UHV / CVD技术制造的超自对准选择性生长SiGe基极(SSSB)双极晶体管
机译:光学终端IC:一个芯片中有一个2.4 Gb / s接收器和一个1:16多路分解器
机译:通过分子束外延生长的基于锑化物的场效应晶体管和异质结双极晶体管。
机译:利用大面积化学气相沉积生长的石墨烯场效应晶体管选择性检测溶菌酶生物标志物
机译:使用氮氧化物电介质最大化自对准双多晶硅siGe双极晶体管中选择性外延基层的生长速率
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造