公开/公告号CN101599506A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-12-09
原文格式PDF
申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN200910055368.7
发明设计人 唐树澍;
申请日2009-07-24
分类号H01L29/73(20060101);H01L29/43(20060101);H01L21/283(20060101);
代理机构上海思微知识产权代理事务所;
代理人郑玮
地址 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
入库时间 2023-12-17 23:10:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-05
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/73 申请公布日:20091209 申请日:20090724
发明专利申请公布后的视为撤回
2011-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/73 申请日:20090724
实质审查的生效
2009-12-09
公开
公开
机译: 用于双极晶体管的自调节外延发射极的生产工艺在基极上方形成发射极层,然后覆盖掺杂的多晶硅并进行退火
机译: 绝缘体上的多晶硅集电极多晶硅发射极双极晶体管
机译: 具有多晶硅层的双极晶体管的制造方法,该多晶硅层用作发射极并钝化悬空键