MICROELECTRONICS; RANDOM ACCESS MEMORY; RELIABILITY; TIME MEASUREMENT; DRAM storage cell micron technology Microelectronics Reliability;
机译:现代DRAM器件中数据保留行为的实验研究:保留时间分析机制的含义
机译:在沉积等离子氮化物层之前通过钝化退火提高了DRAM数据保留和单元晶体管阈值电压的可靠性
机译:圆柱型堆叠式Al_2O_3-HfO_2 MIS电容器的介电可靠性,可改善DRAM数据保持特性
机译:用于未来高速DRAM的新颖W / WNx /双栅CMOS技术,具有更长的保留时间和更高的可靠性
机译:检测DRAM中的可变保留时间。
机译:测量可靠性的可靠性和最佳测量数量心理算术反应时间测试
机译:用于DRam应用的Z2FET保持时间的2D-TCaD模拟
机译:试点结果 - 使用实时偏好测量技术支持士兵保留