首页> 美国政府科技报告 >The study of the epitaxial parameters on reliability of silicon planar devices technical summary report, 25 jun. 1964 - 25 jun. 1965
【24h】

The study of the epitaxial parameters on reliability of silicon planar devices technical summary report, 25 jun. 1964 - 25 jun. 1965

机译:研究硅平面器件可靠性外延参数技术总结报告,25月。 1964年 - 25月6日。 1965年

获取原文

摘要

Effect of varying epitaxial deposition parameters on reliability of silicon planar solid state devices

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号