Meetings; Tunneling(Electronics); Negative resistance circuits; Resonance; Barriers; Germany; Accelerated testing; Hysteresis; Component report; Foreign reports; Resonant tunneling structures;
机译:高电流密度下GaN LED的效率下降:隧穿漏电流和InGaN / GaN量子阱中不完整的横向载流子局部化
机译:纳米种子隧道氧化物缺陷无缺陷外延横向过度生长的高电流密度GaAs / Si矫正异质结
机译:圣海伦斯山1980年5月18日侧向爆炸期间火山碎屑密度流的多相流动动力学
机译:高电流密度Ingaas隧道二极管的DC,RF和稳定性特性
机译:抗弯框架结构概念抗震设计的侧向荷载模式。
机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:纳米种子在隧道氧化物上的无缺陷外延横向过生长而实现的高电流密度GaAs / Si整流异质结