机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:纳米种子隧道氧化物缺陷无缺陷外延横向过度生长的高电流密度GaAs / Si矫正异质结
机译:Ga晶体通过Ge纳米晶种在隧道氧化物上外延横向过度生长而异质集成在标称(001)Si上的GaAs晶体的形貌
机译:使用长宽比陷阱和外延横向过生长在Si(001)上进行低缺陷密度Ge外延
机译:对未来一代低功率CMOSFET的无缺陷外延横向过度生长(ELO)技术
机译:利用外延横向过生长来增加电压的薄硅太阳能电池的设计,制造和分析
机译:纳米种子在隧道氧化物上的无缺陷外延横向过生长而实现的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:错误:从纳米种子隧道氧化物缺陷无缺陷无缺陷外延横向过度生长的高电流密度GaAs / Si矫正异质结
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。