外延再生长异质结构纳米线的横向隧道场效应晶体管

摘要

本发明涉及外延再生长异质结构纳米线的横向隧道场效应晶体管，其形成位于衬底上并且被栅极结构所围绕的掩埋纳米线段之后，覆盖该掩埋纳米线段的第二端及该栅极结构，在该掩埋纳米线段的第一端上生长外延源极区，随后覆盖该外延源极区及该栅极结构，在该掩埋纳米线段的第二端上生长外延漏极区。该外延源极区包括第一半导体材料以及第一导电类型的掺杂剂，而该外延漏极区包括与该第一半导体材料不同的第一半导体材料以及与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂。