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【2h】

Nanoscale Tunnel Field-Effect Transistor Based on a Complex-Oxide Lateral Heterostructure

机译：基于复合氧化物横向异质结构的纳米级隧道场效应晶体管

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A. Müller; C. Şahin; M.Z. Minhas; B. Fuhrmann; M.E. Flatté; G. Schmidt;
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年度 2019
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2. Robust Impact-Ionization Field-Effect Transistor Based on Nanoscale Vertical Graphene/Black Phosphorus/Indium Selenide Heterostructures [J] . Gao Anyuan, Zhang Zhiyi, Li Lingfei, ACS nano . 2020,第1期

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4. Frequency Response of Trap States in an Al{sub}xGa{sub}(1-x)N/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Measured at the Nanoscale by dC/dV Spectroscopy [C] . Daniel M. Schaadt, Edward T. Yu Materials Research Society Symposium . 2001

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