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徐舟; 梁家昌;
中国民航学院基础科学部;
形貌; 缺陷; 深能级; 砷化镓; 薄膜; 硅;
机译:通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:应用于基于硅的波长选择光电探测器通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:在基于Si的波长选择光电探测器上
机译:液相外延横向过度生长在GaAs衬底上生长的GaAs层的同步X射线形貌分析
机译:深层瞬态光谱法表征Si(111)上未掺杂的n-BaSi2外延膜中的缺陷能级
机译:金属有机气相外延生长在GaAs上的立方GaN外延层中的缺陷态
机译:金属有机气相外延法在Si衬底上异质外延生长GaAs。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。
机译:它在其他Si,SixGe1-x和GaAs上的半导体中的应用排列很长,包含SiO2的外延氧化物,一种合成材料
机译:Mesa释放和沉积(MRD)方法缓解Si上异质外延生长的GaAs中的应力
机译:外延生长在带沟槽的Si <001>衬底上的立方相氮基化合物半导体薄膜
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