机译:14 nm FinFET技术中电荷陷阱晶体管(CTT)的设计优化和建模
机译:使用CMOS兼容电荷陷阱晶体管(CTT)的模拟神经网络计算引擎
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式逻辑兼容的多次可编程的非易失性存储元件,用于高k金属门CMOS技术
机译:使用电荷分布和阈值电压偏移测量比较LDD表面沟道和掩埋沟道pMOS晶体管中的电荷俘获效应
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:晶体管存储器:45-二氮杂芴基供体-受体小分子作为可调非易失性有机晶体管存储器的电荷俘获元件(Adv。Sci。12/2018)
机译:一种使用CmOs兼容的忆阻神经网络计算引擎 电荷陷阱晶体管(CTT)