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2.1.2 TAT物理模型
3.3.3 线性性能
4.3 器件的仿真结果及分析
郭嘉敏;
西安电子科技大学;
机译:L型隧穿场效应晶体管的转角效应及其制作方法研究
机译:陷阱辅助隧穿对双栅隧道场效应晶体管中陷阱辅助隧穿电流的影响
机译:L型通道隧穿场效应晶体管中单事件瞬态效应的TCAD模拟
机译:L型隧穿场效应晶体管的设计改进
机译:III-V Esaki二极管和2D隧穿场效应晶体管的量子模拟研究
机译:L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究
机译:界面陷阱和氧化物电荷对隧穿场效应晶体管漏电流的影响
机译:GaN金属半导体场效应晶体管中陷阱的光电离光谱;杂志文章
机译:减少陷阱辅助隧穿泄漏的隧道场效应晶体管
机译:具有直接隧穿的隧穿场效应晶体管,可增强隧穿电流
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