Field effect transistors ; Temperature ; Threshold effects ; Bias ; Voltage ; Metal oxide semiconductors ; Anomalies ; Gates(Circuits);
机译:高K场效应晶体管在偏置温度不稳定性测量中的异常漏极电压依赖性
机译:偏置温度不稳定性对具有高k / SiO_2栅堆叠的互补金属氧化物半导体场效应晶体管的应变效应和沟道长度依赖性
机译:Si(110)p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的负偏置温度不稳定性导致阈值电压漂移和漏极电流降低
机译:高k栅极电介质锗对P沟道场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响
机译:在施加的偏压和栅极电压下,悬浮碳纳米管场效应晶体管中的拉曼光谱和电传输。
机译:更正:改善石墨烯-硅-场效应晶体管的漏极电流饱和度和电压增益
机译:栅极偏压和漏极偏压应力下聚合物薄膜晶体管的阈值电压不稳定性