机译:Si(110)p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的负偏置温度不稳定性导致阈值电压漂移和漏极电流降低
机译:Si(110)p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的负偏置温度不稳定性导致阈值电压漂移和漏极电流降低
机译:漏极偏置对超短p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下降的影响
机译:应变对高k栅介电常数锗p沟道场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响