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Surface Atomic Geometry of Covalently Bonded Semiconductors: InSb(110) and Its Comparison with GaAs(110) and ZnTe(110)

机译：共价键合半导体的表面原子几何：Insb（110）及其与Gaas（110）和ZnTe（110）的比较

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作者
Duke, C. B.; Meyer, R. J.; Paton, A.; Yeh, J. L.; Tsang, J. C.;
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作者单位

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年度 1979
页码 p.1-7
总页数 7
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Atomic structure; Geometry; Semiconductors; Gallium arsenides; Zinc tellurides; Indium antimonides; Reprints; Chemical bonds; Comparison;

机译：原子结构;几何;半导体;砷化镓;碲化锌;锑化铟;重印;化学键;比较;

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