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王绍青;
不详;
半导体材料; 砷化镓; 铟锑; 晶体结构; 原子像图像;
机译:La_2O_3界面层对原子层沉积沉积的Al_2O_3 / La_2O_3 / InGaAs栅叠层中InGaAs金属氧化物半导体界面性质的影响
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机译:GaAs / Ni_(0.5)Pt_(0.5)Ge界面原子结构和肖特基势垒高度的从头算研究
机译:通过热沉积和脉冲激光沉积在GaAs(001)上产生的超薄Fe膜中的界面原子结构和磁各向异性
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机译:InGaAs上Al2O3原子层沉积的初始过程:界面形成机理及其对金属-绝缘体-半导体器件性能的影响
机译:生殖器退火的原子结构退火外延Fe /(001)GaAs界面
机译:共价键合半导体的表面原子几何:Insb(110)及其与Gaas(110)和ZnTe(110)的比较
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机译:层数确定方法的层数确定装置和二维薄膜原子结构的二维薄膜原子结构
机译:确定二维薄膜原子结构的层数的方法和确定二维薄膜原子结构的层数的装置
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