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机译:使用锗界面钝化层的GaAs,In_(0.53)Ga_(0.47)As,InAs和InSb衬底上的金属氧化物半导体电容器的研究
机译:原子层沉积HfO_2栅介质的ln_(0.53)Ga_(0.47)As / lnP金属氧化物半导体电容器的原位H_2S钝化
机译:基于锗界面钝化层的高迁移率基于HfO_2的In_(0.53)Ga_(0.47)As n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:GaAs,ln_(0.53)Ga_(0.47)As和InSb与1-二十碳硫醇化学钝化的比较
机译:具有薄锗钝化层的n-InGaAs衬底上的基于HfO_2的金属氧化物半导体电容器
机译:对具有薄界面钝化层的III-V衬底上基于二氧化ha的MOSCAP和MOSFET的研究
机译:电容等效厚度的边界阱提取以反映对300mm Si衬底上原子层沉积High-k / In0.53Ga0.47As的量子力学效应
机译:GaAs,In0.53Ga0.47As和InAs金属氧化物半导体结构的电容电压特性的计算
机译:理解应变在p型In(x)Ga(1-x)as(Gaas衬底)和In(0.53 + x)Ga(0.47-x)as(on on)上的孔隙尺寸裁剪中的作用的理论形式Inp substrates)调制掺杂场效应晶体管