首页> 美国政府科技报告 >ESR Centers, Interface States, and Oxide Fixed Charge in Thermally Oxidized Silicon Wafers

【24h】

ESR Centers, Interface States, and Oxide Fixed Charge in Thermally Oxidized Silicon Wafers

机译：EsR中心，界面态和热氧化硅晶片中的氧化物固定电荷

获取原文

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

No abstract available.

著录项

作者
Caplan, P. J.; Poindexter, E. H.; Deal, B. E.; Razouk, R. R.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1979
页码 p.1-14
总页数 14
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Silicon; Electron spin resonance; Single crystals; Metal oxide semiconductors; Electronic states; Wafers; Reprints;

机译：硅;电子自旋共振;单晶;金属氧化物半导体;电子态;晶片;重印;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers [J] . Hirofumi Shimizu, Sadayoshi Shimada, Masanori Ikeda Japanese journal of applied physics . 2010,第3issue1期

机译：热氧化Cr污染的n型硅晶片中的负电荷。
2. Metal-induced negative oxide charge detected by an alternating current surface photovoltage in thermally oxidized Fe-contaminated n-type Si (001) wafers [J] . Hirofumi Shimizu, Tomohiro Otsuki Thin Solid Films . 2012,第14期

机译：通过交流表面光电压在热氧化的铁污染的n型Si（001）晶片中检测到的金属感应的负电荷
3. Fixed oxide charge in n-type silicon wafers studied by ac surface photovoltage technique [J] . C Munakata, H Shimizu Semiconductor science and technology . 2000,第1期

机译：交流表面光电压技术研究n型硅片中的固定氧化物电荷
4. Evaluation of fixed oxide charge and oxide-silicon interface trap densities in low-dose and high-dose SIMOX wafers [C] . Masui, S., Nakajima, . 1994

机译：低剂量和高剂量SIMOX晶圆中固定氧化物电荷和氧化物-硅界面陷阱密度的评估
5. Low temperature measurement of silicon/silicon dioxide interface roughness and interface trapped charge in metal-oxide-semiconductor devices. [D] . Anderson, Warren Robert. 1993

机译：金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
6. Effective Synthesis of Highly Oxidized Graphene Oxide That Enables Wafer-scale Nanopatterning: Preformed Acidic Oxidizing Medium Approach [O] . Chun-Hu Chen, Shin Hu, Jyun-Fu Shih, -1

机译：有效合成能够进行晶圆级纳米图案化的高氧化石墨烯：预先形成的酸性氧化介质方法
7. Behavior of Metal-Induced Oxide Charge during Thermal Oxidation in Silicon Wafers [O] . Chem In, Chem Out, J. Parker, 2016

机译：硅片热氧化过程中金属诱导氧化物电荷的行为

ESR Centers, Interface States, and Oxide Fixed Charge in Thermally Oxidized Silicon Wafers

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅