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Photoluminescence Dead Layer in P-Type InP.

机译：p型Inp中的光致发光死层。

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作者
Hollingsworth, R. E.; Sites, J. R.;
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年度 1982
页码 1-3
总页数 3
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Indium phosphides; P type semiconductors; Photoluminescence; Schottky barrier devices; Interfaces; Surfaces; Excitation; Frequency; Reprints;

机译：磷化铟; p型半导体;光致发光;肖特基势垒器件;界面;表面;激发;频率;重印;

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机译：p型Inp中的光致发光死层

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