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充当有机光电装置中的空穴传输层的P型过渡金属氧化物类膜

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摘要

对制造具有空穴收集电极的半导体装置的方法的一种改进包括用p型过渡金属氧化物经由溶胶-凝胶法涂布所述空穴收集电极。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-09-01

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/00 申请公布日:20140702 申请日:20121029

发明专利申请公布后的驳回
2014-11-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/00 申请日:20121029

实质审查的生效
2014-07-02

公开

公开

1. 充当有机光电装置中的空穴传输层的P型过渡金属氧化物类膜 [P] . 中国专利： CN103907196A . 2014-07-02
2. 晶体生长控制剂、p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法、空穴传输层形成用组合物及太阳能电池 [P] . 中国专利： CN106104773A . 2016-11-09
3. P-Type Transition Metal Oxide-Based Films Serving as Hole Transport Layers in Organic Optoelectronic Devices [P] . 美国专利： US2014295604A1 . 2014-10-02

机译： P型过渡金属氧化物基薄膜用作有机光电器件中的空穴传输层
4. P-type transition metal oxide-based films serving as hole transport layers in organic optoelectronic devices [P] . 美国专利： US9252365B2 . 2016-02-02

机译：在有机光电器件中用作空穴传输层的P型过渡金属氧化物基薄膜
5. New oligomeric compounds useful in organic electronics, electronic and optoelectronic devices in photocatalytic cleavage of water and sensors or organic Pelletier elements and as p-dopant for doping hole transport layers in displays [P] . 德国专利： DE102013203149A1 . 2013-09-12

机译：新型低聚化合物，可用于有机电子，电子和光电设备中的水和传感器或有机Pelletier元素的光催化裂解，并可作为p型掺杂剂掺杂显示器中的空穴传输层