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程国安;
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学材料科学与工程系,低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875;
稀土掺杂; 半导体硅; 光致发光;
机译:氧化硅基体中的单层硅量子点:形成气体氢化对光致发光特性的研究以及富硅氧化物层的组成研究
机译:变化的化学计量的低氧化物硅层的热退火期间非晶和结晶硅的纳米团簇的光致发光的研究结构演变
机译:用于化学溶剂蒸汽传感器的多孔硅层中的光致发光淬火研究
机译:InGaN和稀土掺杂GaN外延层的X射线激发光致发光研究
机译:硅(1-x)锗(x)/硅和硅/锗应变层超晶格的光致发光研究。
机译:在另一个表面上形成光致发光层在电解质中的N型硅搅拌的暗中
机译:多孔薄SiC层生长到硅的形态学和光致发光研究
机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译:胶态光致发光非晶态多孔硅,制造胶态光致发光非晶态多孔硅的方法以及使用胶态光致发光非晶态多孔硅的方法
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