Etching; Gallium compounds; Indium compounds; Arsenides; Phosphides; Indium phosphides; Epitaxial growth; Wafers; Surface properties; Morphology; Sulfuric acid; Hydrogen peroxide; Water; Reprints; Gallium indium arsenide phosphides; Substrates;
机译:分子束外延生长的外延ScAlN刻蚀停止层用于AlN和GaN的选择性刻蚀
机译:使用高选择性衬底去除刻蚀工艺隔离在GaAs衬底上变质生长的GaSb膜
机译:使用高选择性衬底去除刻蚀工艺隔离在GaAs衬底上变质生长的GaSb膜
机译:对接连接了集成式GaInAsP MQW激光器和选择性CBE生长的波导
机译:通过蚀刻坑技术对轴轴生长的p型锗晶片脱位的检查
机译:NCCL中不同通用粘合剂在蚀刻和冲洗,选择性蚀刻和自蚀刻应用模式下的二十四个月临床表现–一项随机对照临床试验
机译:固体磷通过分子束外延生长在(100)InP上晶格匹配的GaInAsP的重现性研究
机译:在Inp上生长GaInasp的慢选择性蚀刻