Etching; Gallium compounds; Indium compounds; Arsenides; Phosphides; Indium phosphides; Epitaxial growth; Wafers; Surface properties; Morphology; Sulfuric acid; Hydrogen peroxide; Water; Reprints;
机译:MOVPE在InP光栅上完全生长的1.55μmGaInAsP / InP DFB-BH LD的低阈值操作
机译:基于INP基板上生长的增强层的发光性能
机译:通过气相外延对INP基质生长的增强层厚度的组成均匀性研究
机译:在Si-InP基板上生长的GaInasp / InP横向电流注射激光器用于膜光子集成电路
机译:用于量子盒激光器的GaInAsP / InP有机金属气相外延(OMVPE)
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:固体磷通过分子束外延生长在(100)InP上晶格匹配的GaInAsP的重现性研究
机译:在Inp上生长GaInasp的慢选择性蚀刻。