Photodiodes; Avalanche diodes; Indium phosphides; Ionization; Impact; Symmetry(Crystallography); Multiplication; Noise(Electrical and electromagnetic); Measurement; Coefficients; Phonons; Collisions; Reprints;
机译:高增益和低多余噪声InGaAs / InP雪崩光电二极管,具有横向冲击电离
机译:InP / InGaAs SAGCM雪崩光电二极管电荷层中碰撞电离的研究
机译:在InP衬底上生长的低噪声电离工程雪崩光电二极管
机译:具有冲击电离工程倍增区域的低噪声,基于InP的雪崩光电二极管
机译:雪崩光电二极管中近红外和中红外应用的建模和工程影响电离。
机译:基于〈111〉〈100〉和〈110〉定向GaAs的IMPATT二极管:比较研究以寻找毫米波大气窗口的最佳方向
机译:IN0.53GA0.47AS / AL0.48IN0.52AS的抗冲电离特性的工程在INP衬底上的超廓图雪崩光电二极管
机译:(100) - ,(110) - 和(111) - 取向的Inp雪崩光电二极管中的撞击电离。