首页> 美国政府科技报告 >Impact Ionization in (100)-, (110)-, and (111)-Oriented InP Avalanche Photodiodes.

【24h】

Impact Ionization in (100)-, (110)-, and (111)-Oriented InP Avalanche Photodiodes.

机译：（100） - ，（110） - 和（111） - 取向的Inp雪崩光电二极管中的撞击电离。

获取原文

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

No abstract available.

著录项

作者
Armiento, C. A.; Groves, S. H.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1983
页码 1-4
总页数 4
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Photodiodes; Avalanche diodes; Indium phosphides; Ionization; Impact; Symmetry(Crystallography); Multiplication; Noise(Electrical and electromagnetic); Measurement; Coefficients; Phonons; Collisions; Reprints;

机译：光电二极管;雪崩二极管;磷化铟;电离;冲击;对称性（晶体学）;乘法;噪声（电气和电磁）;测量;系数;声子;碰撞;重印;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Low‐temperature characteristics of electron ionization rates in (100)‐ and (111)‐oriented InP [J] . Journal of Applied Physics . 1985,第11期

机译：（100）和（111）取向InP中电子电离速率的低温特性
2. High gain and low excess noise InGaAs/InP avalanche photodiode with lateral impact ionization [J] . Applied optics . 2020,第7期

机译：高增益和低多余噪声InGaAs / InP雪崩光电二极管，具有横向冲击电离
3. Study on impact ionization in charge layer of InP/InGaAs SAGCM avalanche photodiodes [J] . Shibo Zhang, Yanli Zhao Optical and quantum electronics . 2015,第8期

机译：InP / InGaAs SAGCM雪崩光电二极管电荷层中碰撞电离的研究
4. Gate capacitance modeling in (100), (110) and (111) oriented nanoscale MOSFET substrates [C] . 6th International Conference on Electrical and Computer Engineering . 2010

机译：（100），（110）和（111）取向的纳米MOSFET衬底中的栅极电容建模
5. Impact ionization in aluminum-gallium-arsenic-antimony alloy avalanche photodiodes. [D] . Grzesik, Michael. 2009

机译：铝-镓-砷-锑合金雪崩光电二极管中的碰撞电离。
6. IMPATT Diodes Based on 〈111〉 〈100〉 and 〈110〉 Oriented GaAs: A Comparative Study to Search the Best Orientation for Millimeter-Wave Atmospheric Windows [O] . Bhadrani Banerjee, Anvita Tripathi, Adrija Das, 2015

机译：基于〈111〉〈100〉和〈110〉定向GaAs的IMPATT二极管：比较研究以寻找毫米波大气窗口的最佳方向
7. Selective growth of (100)-, (110)-, and (111)-oriented MgO films on Si(100) by pulsed laser deposition [O] . Chen, XY, Wong, KH, Mak, CL, 2002

机译：通过脉冲激光沉积在Si（100）上选择性生长（100），（110）和（111）取向的MgO膜
8. Impact Ionization in (100)-, (110)-, and (111)-Oriented InP Avalanche Photodiodes [R] . Armiento, C. A., Groves, S. H. 1983

机译：（100） - ，（110） - 和（111） - 取向Inp雪崩光电二极管中的撞击电离

Impact Ionization in (100)-, (110)-, and (111)-Oriented InP Avalanche Photodiodes.

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅