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刘瑞萍;
重庆大学;
离散效应修正; 芯结构; Peierls应力; 各向异性; 能量因子; 滑动机制; 全离散位错晶格;
机译:bcc铁中<100> {010},<100> {011}和1/2 <111> {011}边缘位错的电子结构
机译:位错核心对bcc-iron中1/2 <111> i {110}边缘位错滑移的影响:嵌入式原子方法研究
机译:bcc Fe中<100> {010}边缘位错的核心结构的离散校正
机译:{110} <111>,{112} <111>和{123} <111>多次滑动的BCC晶体的屈服点
机译:使用多尺度离散位错和梯度晶体可塑性形成位错边界和晶胞结构及其稳定性。
机译:氢诱导铁中{110} 111边和{110} 111螺型位错的核心结构变化
机译:MgSiO3钙钛矿中100(010)和010(100)位错的原子核结构和迁移率
机译:小位错环的电子显微镜图像对比:III。 BCC晶体中非边缘位错环的理论预测。
机译:<110>取向的硅半导体晶体的无位错生长
机译:将<100>和<111>铸锭转换为<110>铸锭
机译:半导体激光器,其具有(100)顶表面和在水平<01-1>轴方向上延伸的条纹脊,并具有侧壁表面(110)和(111)面之间的三角形区域
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