Electron mobility; Amphoteric; Electron beams; Fabrication; Interfaces; Irradiation; Layers; Lithography; Low temperature; Measurement; Mobility; Models; Noise; Oxides; X rays; Semiconductors; Reprints;
机译:辐射引起的再氧化氮化氧化物MOSFET的反型层迁移率增加
机译:具有大密度界面状态的MOS反转层中载波散射的建模及4H-SIC MOSFET中的电子霍尔迁移率模拟
机译:用薄高电介质制成的高迁移率MOSFET的反型层的小信号响应
机译:高k电介质MOSFET的反型层迁移率-高k / SiO_2界面上电偶极子的固有迁移率降低
机译:使用电离辐射诱导的氧化铟/氧化硅/二氧化硅/硅结构(辐射硬)中的表面倒置的层状太阳能电池。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:确定沟槽MOSFET中电子的反型迁移率的一种改进方法
机译:具有氮化氧化物栅极电介质的mOsFET的反型层迁移率