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周郁明; 陈伟伟;
安徽工业大学电气与信息工程学院;
4H-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管; 表面粗糙度; 温度依赖; 场效应迁移率; 计算机模拟;
机译:沟槽侧壁的表面粗糙度对4H-SiC沟槽MOSFET中电性能的影响
机译:表面粗糙度散射对纳米级Si MOSFET中低场电子迁移率的影响
机译:表面粗糙度散射对纳米Si MOSFET中低场电子迁移率的影响
机译:表面台阶对4H-SiC粗糙度迁移率的影响
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:不同温度下硅烷在玻璃陶瓷上的应用对表面结构和结合强度的影响
机译:薄无定形表面层对不同温度铝注入到4H-SiC的铝植入过程中的探测中的影响
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)
机译:对象的表面区域粗糙度测量方法,涉及通过辐射测量确定表面区域温度的水平和分布,其中温度升高是区域粗糙度的间接度量
机译:减少木质单板表面粗糙度的方法-涉及热金属辊快速连续至少两次通过单板表面,然后通过具有不同表面粗糙度的相对旋转辊
机译:建立在不同温度下模拟MOSFET电特性的子电路模型的方法
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