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机译:沟槽侧壁的表面粗糙度对4H-SiC沟槽MOSFET中电性能的影响
Toyota Cent Res & Dev Labs Inc, Nagakute, Aichi 4801192, Japan;
Toyota Motor Co Ltd, Toyota, Aichi 4700309, Japan;
Toyota Cent Res & Dev Labs Inc, Nagakute, Aichi 4801192, Japan;
Toyota Motor Co Ltd, Toyota, Aichi 4700309, Japan;
DENSO Corp, Res Div 3, Nisshin, Aichi 4700111, Japan;
Toyota Motor Co Ltd, Toyota, Aichi 4700309, Japan;
Toyota Motor Co Ltd, Toyota, Aichi 4700309, Japan;
机译:反应离子刻蚀对4H-SiC沟道MOSFET的沟道侧壁和底部造成的损伤的光电子纳米光谱
机译:反应离子刻蚀对4H-SiC沟道MOSFET的沟道侧壁和底部造成的损伤的光电子纳米光谱
机译:使用底部保护p阱的沟槽轮廓和自对准离子注入对1.2 kV 4H-SiC沟槽MOSFET的电特性的影响
机译:在不同的沟槽侧壁上形成的4H-SiC MOSFET的特性
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸,用于改善开关特性
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)