机译:4H-SiC的本征原子能级表面粗糙度迁移率极限
机译:高温退火降低(110)Si衬底表面粗糙度对(110)Si上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:SiO_2 / 4H-SiC结构中4H-SiC的晶面对界面陷阱密度和迁移率的影响
机译:表面步骤对4H-SIC粗糙度移动性的影响
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:低压对4H-SiC外延层表面粗糙度和形貌缺陷的影响
机译:宏观阶梯表面制备的4H-siC mOsFET的高通道迁移率