杂质的不完全离化和迁移率的各相异性对4H-SiC MESFET特征频率的影响

摘要

本文在建立4H-SiC MESFETs的模型的基础上运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MSFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值进行比较表明在特征频率f<,T>以内得到了较为满意的结果.在此基础上,分析研究了杂质的不完全离化和迁移率的各相异性对4H-SiC MESFET特征频率f<,T>的影响.