4H-SiC PIN二极管的各向异性迁移率效应

摘要

对制造的单mesa终端4H-SiC PIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiC PIN二极管正向直流特性的影响.详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算.对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好.研究表明,实际制造的4H-SiC PIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应.