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张发生; 陈育林;
中南林业科技大学计算机与信息工程学院;
碳化硅; 二极管; 结终端; 模拟; 击穿电压; 工艺;
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机译:带保护环终端的高压(1 kV)4H-SiC p-n结二极管的“理想”静态击穿
机译:(000-1)C面上4H-SiC pin二极管和高压4H-SiC pin二极管的正向电压降级,正向降级减小
机译:具有浮动保护环和中间环的蚀刻结终端扩展,用于超高压4H-SiC PiN二极管
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:4H-SIC漂移步骤回收二极管具有硬度恢复的超结
机译:低压(<250 V)4H-siC p + n结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性
机译:高压隔离半导体开关,例如PIN二极管或GTO晶闸管-具有选择掺杂浓度的附加层,以便在层和衬底之间形成两侧结
机译:由氧化镓/ 4H-SiC制成的异质结二极管及其制造方法
机译:/异质结二极管由氧化镓/ 4H-SIC制成及其制造方法
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