基于Sentaurus Device的4H-SiC PiN二极管的仿真

摘要

该文通过4H-Si C Pi N二极管的模拟,给4H-Si C Pi N二极管加了一个5V电压,在室温T=300K的情况下分析了4H-Si C Pi N二极管的直流特性和温度特性,从而介绍了Synopsys Inc.开发的新一代的器件物理特性仿真工具Sentaurus Device的一些仿真功能。