机译:非晶态薄表面层对铝在4H-SiC中注入温度不同的过程中去沟道的影响
机译:通过近表面离子注入消除4H-SiC外延层中的碳空位:离子种类的影响
机译:薄铝层对铋单晶表面层孪晶的影响
机译:离子植入和高温AR退火对N型4H-SiC脱落载体寿命的影响
机译:用于增强离子注入薄膜和非晶混合氧化物薄膜晶体管性能的新型低温工艺。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:1950°C注入后退火后的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
机译:通过离子注入和注入后退火在铍中形成亚表面铝层。