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机译:在GaAs衬底上生长具有InGaAsSb应变减小层的InAs量子点发出的1.5μm发射光
quantum dot; strain-reducing layer; InGaAsSb; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; OPTICAL-PROPERTIES; LIGHT-EMISSION; PHOTOLUMINESCENCE; LASER;
机译:在GaAs衬底上生长具有InGaAsSb应变减小层的InAs量子点发出的1.5μm发射光
机译:在GaAs单一和邻近衬底上生长的InAs / GaAs量子点多层结构发出的1.3-1.4#μ#m光致发光
机译:在GaAs单一和邻近衬底上生长的InAs / GaAs量子点多层结构发出的1.3-1.4μm光致发光
机译:在InP(411)衬底上生长的GaAs / InAs超晶格中自形成的1.3-1.5 / splμ/ m波长量子点
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:使用InGaAs应变层的垂直耦合INAS / GaAs量子点的异常蓝色