...
机译:在GaAs单一和邻近衬底上生长的InAs / GaAs量子点多层结构发出的1.3-1.4μm光致发光
机译:在GaAs单一和邻近衬底上生长的InAs / GaAs量子点多层结构发出的1.3-1.4#μ#m光致发光
机译:在GaAs衬底上生长具有InGaAsSb应变减小层的InAs量子点发出的1.5μm发射光
机译:GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射
机译:外延生长的GaAsN / InAs / GaAsN量子点孔内结构在1.31μm处发光的低温光致发光研究
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射