机译:外延化学气相沉积硅碳化物的过程诱发形貌缺陷
0001 6h-sic wafers; Films; Growth;
机译:外延化学气相沉积硅碳化物的过程诱发形貌缺陷
机译:150mm CVD选择性碳化硅外延生长技术
机译:使用高真空MOCVD方法沉积外延碳化硅膜用于MEMS应用
机译:150mm CVD法碳化硅选择性嵌入外延生长技术
机译:通过CVD在(001)硅上生长的β-碳化硅中的晶格缺陷。
机译:在碳化硅上的多层外延石墨烯:用环境污染物掺入海水样品的稳定工作电极
机译:外延CVD碳化硅中工艺诱导的形貌缺陷
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月