机译:外延化学气相沉积硅碳化物的过程诱发形貌缺陷
机译:共晶刻蚀外延层上碳化硅CVD外延生长中缺陷演变和基面位错消除的研究
机译:150mm CVD选择性碳化硅外延生长技术
机译:150mm CVD法碳化硅选择性嵌入外延生长技术
机译:通过CVD在(001)硅上生长的β-碳化硅中的晶格缺陷。
机译:在碳化硅上的多层外延石墨烯:用环境污染物掺入海水样品的稳定工作电极
机译:使用甲基三氯硅烷化学气相沉积在轴上碳化硅衬底上外延生长碳化硅
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月